| 项目 | 规格描述 |
设备精度 | XY:±10μm3σ θ:0.2° |
芯片尺寸 | 2*2-20*20mm |
| 芯片厚度 | 0.05-2mm |
| 取放头 | 加热头温度RT~300℃，可设定，精度+5℃ |
取放头力控 | 程序控制0.2-300N(选配500N) |
| 基板或载具 | 带加热功能，有预热模组、温度可设定，温度范围:RT~300℃(预热和加热相同)，精度+5℃，加热区域175~300mm |
| wafer尺寸 | 6/8/12寸 |
| 输入电压 | AC 220V 50HZ |
气压 | 0.5~0.7MPa |
机器尺寸 | 1200*1500*2150 mm |
